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realme官方详解天玑1200旗舰芯片的5G性能

2021-03-19 16:08:18 来源 : 快科技

3月18日上午,realme官方发文宣布,将于3月31日下午2:30召开新闻发布会,正式推出——realme GT Neo。

realme副总裁徐起表示,GT Neo是realme在2021年双台旗舰战略的重磅产品,搭载了6nm工艺的联发科天玑1200芯片,拥有强大的旗舰级能。

同时,官方还宣称realme GT Neo拥有第三代5G手机全方位提升的5G终端体验。

这个“第三代5G手机”也令许多网友十分不解,甚至有些网友表示“我还没用上5G呢,5G手机都出到第三代了?”。

对此,realme官方专门发文详细解释了天玑1200旗舰芯片的5G能,并表示该芯片提供的5G体验三年不会过时。

具体如下:

5G+5G双卡待机:支持SA/NSA双模组网下的双卡5G待机,两张卡同时5G驻网,随时智能切换信号更好的5G网络。同时,双卡均支持SA独立组网,适配未来5G网络环境,获得完整的5G体验。

两5G双载波聚合:可同时连接两个5G频段并通过载波聚合实现更快的网速,一些频段下的下载速度相比5G单载波有成倍的提升。在不同5G频段之间切换时,双载波聚合无需先断开再连接,实现无缝切换,让5G网络始终在线,稳定大幅领先单载波。

内双卡5G高清语音(VoNR):通话与上网,都会由5G网络承载,与VoLTE相比,通话质量将会大幅提升,延迟更低、音画质量更高,提升用户体验。VoNR在实现高清语音通话的同时,避免了通话时信号回落至2G/3G/4G的问题(需待运营商VoNR布网后可OTA打开支持)。

峰集成式5C基带:带来更低的数据延时,更好的功耗和温控表现,高集成度有利于节省极为宝贵的手机内部空间,让手机厂商更精细排列组合内部结构,以期获得更多电池和更薄机身,集成式基带已成为未来的趋势。

标签: realme 天玑1200 5G

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